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Samsung lanza un SSD de 15,36 TB para sistemas de almacenamiento empresarial

Samsung ha anunciado el lanzamiento de la unidad de estado sólido (SSD) más grande del mundo: la unidad PM1633a de 15,36 terabytes (TB), tras su presentación en agosto de 2015 durante el congreso Flash Memory Summit.
La unidad SSD de 15,36 TB está basada en una interfaz Serial Attached SCSI (SAS) de 12 Gb/s, diseñada para su uso en sistemas de almacenamiento empresarial. Dado que la unidad PM1633a tiene formato de 2,5 pulgadas, los responsables del almacenamiento empresarial pueden encajar el doble de capacidad que la mayoría de unidades en formato estándar de 19", en rack 2U, comparado con una unidad de almacenamiento equivalente de 3,5".
"Para satisfacer la creciente necesidad en el mercado de SSDs SAS de ultra alta capacidad por parte de los principales fabricantes de sistemas de almacenamiento empresarial, estamos dirigiendo nuestros mayores esfuerzos a cubrir la demanda SSD de nuestros usuarios", ha señalado el vicepresidente del equipo de Ingeniería de Aplicaciones y Planificación de Productos de Memoria en Samsung, Jung-bae Lee. "Continuaremos liderando la industria con la nueva generación de SSDs, utilizando nuestra avanzada tecnología de memoria 3D V-NAND, con el objetivo de acelerar el crecimiento del mercado de memorias premium al mismo tiempo que suministramos un mayor rendimiento y eficiencia a nuestros usuarios", ha añadido.
El almacenamiento de 15,36 TB de datos sobre una sola unidad SSD es posible al combinar 512 chips de memoria 256Gb V-NAND de Samsung, como ha explicado la compañía en un comunicado. Los troqueles de 256 Gb están apilados en 16 capas para formar un único paquete de 512 GB, con un total de 32 paquetes NAND flash en la unidad de 15,36 TB.
Utilizando la tercera generación de la tecnología 256 Gb V-NAND de Samsung, que apila los matrices de celdas en 48 capas, la línea PM1633a proporciona mejoras de rendimiento y fiabilidad respecto a su predecesora, la unidad PM1633, que utilizaba la segunda generación de la memoria 128 Gb V-NAND, en 32 capas, desarrollada por Samsung.
El nuevo SSP PM1633a de Samsung da la oportunidad de mejorar la eficiencia de las inversiones en sistemas TI gracias a una alta capacidad de almacenamiento y rendimiento. Esta ganancia de rendimiento se deriva de la última tecnología flash vertical NAND (V-NAND) de Samsung, así como la tecnología propietaria de firmware y controlador de la compañía.
El SSD PM1633a alcanza velocidades de lectura y escritura aleatoria de hasta 200.000 y 32.000 IOPPS respectivamente, y ofrece velocidades de lectura y escritura secuencial de hasta 1.200 MB/s. El rendimiento IOPS de lectura aleatoria es aproximadamente 1.000 veces mayor que en los discos duros tipo SAS, mientras que las velocidades de lectura y escritura secuencial son más del doble que en un SSD SATA típico. Dentro del nuevo SSD se encuentran las avanzadas unidades de controlador de Samsung, que soportan la interfaz SAS de 12 GB/s, junto a un total de 16 GB de DRAM. Samsung usa también un firmware específicamente diseñado que puede acceder a grandes cantidades de NAND flash de alta densidad de forma concurrente.
La unidad PM1633a de 15,36 TB soporta 1 DWPD (escritura de unidad por día), lo que significa que cada día pueden escribirse 15,36 TB de datos en una sola unidad sin fallos, un nivel de fiabilidad que mejorará el coste de propiedad para los sistemas de almacenamiento empresarial. En esta unidad se pueden escribir entre dos y diez veces más de datos que los típicos SSDs SATA basados en tecnologías MLC y TLC NAND flash planas.
Por otro lado, la unidad destaca por un mecanismo de protección de los metadatos de alta fiabilidad, además de incluir una herramienta de protección de datos y 'software' de restauración en caso de cortes eléctricos momentáneos, lo que hace a los sistemas empresariales más estables y gestionables.
Empezando por la densidad de 15,36 TB, Samsung ofrecerá una amplia gama de opciones de capacidad en su línea SSD PM1633a -7,68 TB, 3,84 TB, 1,92 TB, 960-gigabytes (GB) y 480 GB- a finales de año.